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大功率器件專(zhuān)用氮化鎵單晶襯底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

產(chǎn)品中心

Products Center

4英寸自支撐氮化鎵晶片(非摻)
規格:GaN-FS-C-U-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.1 mm 厚度:650 ± 50 μm 電阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片(鐵摻)
規格:GaN-FS-C-SI-C100 尺寸:Ф 100 ±1 mm 厚度:420 ±50μm 電阻率(300k):>1×10?Ω*cm
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2英寸自支撐氮化鎵晶片(非摻)
規格:GaN-FS-C-U-C50 尺寸:Ф 50.8 ± 1 mm 厚度:350 ± 25 μm 電阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片(非摻)
規格:GaN-FS-C-U-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.1 mm 厚度:650 ± 50 μm 電阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撐氮化鎵晶片(鐵摻)
規格:GaN-FS-C-SI-C100 尺寸:Ф 100 ±1 mm 厚度:420 ±50μm 電阻率(300k):>1×10?Ω*cm
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2英寸自支撐氮化鎵晶片(非摻)
規格:GaN-FS-C-U-C50 尺寸:Ф 50.8 ± 1 mm 厚度:350 ± 25 μm 電阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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專(zhuān)業(yè)的高質(zhì)量氮化鎵襯底供應商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,經(jīng)過(guò)15年努力杨拐,實(shí)現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)扒磁、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù),現在是國內和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位;氮化鎵產(chǎn)品性能綜合指標國際領(lǐng)先余佃,未來(lái)3年重點(diǎn)實(shí)現將技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢轉化為在全球的市場(chǎng)優(yōu)勢。

 

蘇州納維科技有限公司成立于2007年,專(zhuān)注于高質(zhì)量氮化鎵半導體單晶材料的生長(cháng)。氮化鎵是第三代半導體的代表,它是節能照明雏镣、激光投影顯示、智能電網(wǎng)架暗、新能源汽車(chē)、5G通信等產(chǎn)業(yè)的核心基礎材料,預計到未來(lái)將形成萬(wàn)億美元以上的市場(chǎng)規模。

 

專(zhuān)業(yè)的高質(zhì)量氮化鎵襯底供應商

蘇州納維科技有限公司致力于第三代半導體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化戈二,經(jīng)過(guò)15年努力广航,實(shí)現了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)萤颗、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)于杈、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)党晋,現在是國內和國際少數幾家之一能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位健旦;氮化鎵產(chǎn)品性能綜合指標國際領(lǐng)先甫面,未來(lái)3年重點(diǎn)實(shí)現將技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢轉化為在全球的市場(chǎng)優(yōu)勢。

 

蘇州納維科技有限公司成立于2007年,專(zhuān)注于高質(zhì)量氮化鎵半導體單晶材料的生長(cháng)邢滑。氮化鎵是第三代半導體的代表篡九,它是節能照明桨檬、激光投影顯示、智能電網(wǎng)橄衅、新能源汽車(chē)衩骄、5G通信等產(chǎn)業(yè)的核心基礎材料遏考,預計到2025年將形成萬(wàn)億美元以上的市場(chǎng)規模幸乒。

 

2007
公司成立
500+
服務(wù)客戶(hù)
60+
核心專(zhuān)利
50+
邀請報告
10億+
總投資

產(chǎn)品應用

Applications ——

氮化鎵是第三代半導體的代表,它是節能照明、激光投影顯示、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、5G通信等產(chǎn)業(yè)的核心基礎材料贮祥,預計到未來(lái)將形成萬(wàn)億美元以上的市場(chǎng)規模...

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